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전자기장 텐서

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1. 개요

전자기장 텐서는 전자기 퍼텐셜의 도함수로 구성되며, 전기장과 자기장을 묶어 표현하는 2계 반대칭 텐서이다. 이는 맥스웰 방정식을 상대론적 형태로 표현하고, 로렌츠 힘을 기술하는 데 사용된다. 전자기장 텐서는 로렌츠 불변량과 같은 고유한 성질을 가지며, 특수 및 일반 상대성 이론에서 중요한 역할을 한다.

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전자기장 텐서
개요
이름전자기장 텐서
다른 이름패러데이 텐서
맥스웰 텐서
이중 벡터
기호Fμν
Fμν
정의
정의시공간에서의 전자기장을 나타내는 수학적 객체
유형텐서
2차 반대칭 텐서
성분
성분전기장 및 자기장
차원(0, 2)
수학적 표현
정의 식F = d A
성분 표현Fμν = ∂μAν − ∂νAμ
여기서A는 전자기 퍼텐셜
d는 외미분
∂는 4차원 기울기
F01 = −ExF02 = −Ey
F03 = −EzF12 = Bz
F31 = ByF23 = Bx
물리적 의미
물리적 의미전자기장의 표현
특성
불변량B2 − E2
EB

2. 정의

전자기장 텐서는 전자기 퍼텐셜의 외미분으로 정의되며, 2차 미분형식 또는 반대칭 텐서로 표현된다.

전자기장 텐서 F_{\mu\nu}는 2계 텐서로 다음과 같이 정의된다.[4]

:F_{\mu\nu} = \partial_\mu A_\nu -\partial_\nu A_\mu

여기서 A_\mu는 상대론적인 4원 벡터의 전자기 포텐셜이며, 다음과 같다.

:A^\mu = \left(

\frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right),~

A_\mu =\eta_{\mu\nu} A^\nu = \left(


  • \frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right)[5]


또한, 미분 연산자 \partial_\mu도 상대론적인 4원 벡터로 다음과 같다.

:\partial_\mu =\frac{\partial}{\partial x^\mu} = \left(

\frac{1}{c}\frac{\partial}{\partial t}, \nabla \right)

정의에 따라 전자기장 텐서는 명백히 반대칭 텐서이며, 독립 성분은 6개이다. 이는 3차원 공간의 벡터장전기장(전장의 세기) \boldsymbol{E}와 자기 선속 밀도 \boldsymbol{B}의 각 성분에 해당한다.

2. 1. 전자기 퍼텐셜과의 관계

전자기장 텐서 F_{\mu\nu}전자기 퍼텐셜 A_\mu의 도함수로 구성되며, 전자기 퍼텐셜의 곡률로 생각할 수 있다. 이를 수식으로 나타내면 다음과 같다.[1][2]

:F_{\mu\nu}=\frac{\partial A_\nu}{\partial x^\mu}-\frac{\partial A_\mu}{\partial x^\nu}.

미분형식을 사용하면 더 간단하게 표현할 수 있다. 전자기장 텐서 F는 반대칭 텐서이므로 2차 미분형식이고, 전자기 퍼텐셜 A는 벡터이므로 1차 미분형식이다. 따라서 다음과 같이 표현된다.

:F=dA

여기서 d는 외미분(exterior derivative)이다.

4-구배 \partial와 4-퍼텐셜 A를 사용하여 성분 형태로 표현하면 다음과 같다.

:F_{\mu\nu} = \partial_\mu A_\nu - \partial_\nu A_\mu.

전기장 '''E'''와 자기장 '''B''', 그리고 빛의 속도 c를 사용하여 전자기장 텐서 Fμν의 성분을 나타내면 다음과 같다.

:F_{\mu\nu} = \begin{bmatrix}

0 & -E_x/c & -E_y/c & -E_z/c \\

E_x/c & 0 & B_z & -B_y \\

E_y/c & -B_z & 0 & B_x \\

E_z/c & B_y & -B_x & 0

\end{bmatrix}


2. 2. 성분 표현

전자기장 텐서 F_{\mu\nu}전자기 퍼텐셜 A_\mu의 도함수로 구성되며, 그 성분은 다음과 같이 표현된다.[1][2][4][5]

:F_{\mu\nu} = \partial_\mu A_\nu - \partial_\nu A_\mu

여기서 \partial는 4-구배이고, A 는 4-퍼텐셜이다.

입자 물리학자의 계량 부호 (+ − − −)를 사용하면, 전자기장 텐서는 다음과 같은 행렬 형식으로 나타낼 수 있다.

:

F^{\mu\nu} = \begin{bmatrix}

0 & -E_x/c & -E_y/c & -E_z/c \\

E_x/c & 0 & -B_z & B_y \\

E_y/c & B_z & 0 & -B_x \\

E_z/c & -B_y & B_x & 0

\end{bmatrix}.



:

F_{\mu\nu} = \eta_{\alpha\nu}F^{\beta\alpha}\eta_{\mu\beta} = \begin{bmatrix}

0 & E_x/c & E_y/c & E_z/c \\

  • E_x/c & 0 & -B_z & B_y \\
  • E_y/c & B_z & 0 & -B_x \\
  • E_z/c & -B_y & B_x & 0

\end{bmatrix}.



여기서,

이다.

전기장(\vec{E}) 및 자기장(\vec{B})은 전자기 텐서의 성분으로 표현 된다.

:E_i = c F_{0i},

:B_i = -1/2\epsilon_{ijk} F^{jk},

여기서 \epsilon_{ijk}는 레비-치비타 텐서이다.

전자기장 텐서의 성분을 구체적으로 표현하면 다음과 같다.[5]

:(F_{01},F_{02},F_{03}) =(-E_x/c,-E_y/c,-E_z/c)

:(F_{23},F_{31},F_{12}) =(B_x,B_y,B_z)

위첨자 F^{\mu\nu} =\eta^{\mu\rho}\eta^{\nu\sigma}F_{\rho\sigma}는 다음과 같다.[5]

:(F^{01},F^{02},F^{03}) =(E_x/c,E_y/c,E_z/c)

:(F^{23},F^{31},F^{12}) =(B_x,B_y,B_z)

구면 좌표계 에서 전자기장 텐서 F는 다음과 같다.

:(F_{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & -E_r/c & -rE_\theta/c & -rE_\varphi\sin\theta/c \\

E_r/c & 0 & rB_\varphi & -rB_\theta\sin\theta \\

rE_\theta/c & -rB_\varphi & 0 & r^2B_r\sin\theta \\

rE_\varphi\sin\theta/c & rB_\theta\sin\theta & -r^2B_r\sin\theta & 0 \\

\end{bmatrix}

:(F^{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & E_r/c & E_\theta/cr & E_\varphi/cr\sin\theta \\

  • E_r/c & 0 & B_\varphi/r & -B_\theta/r\sin\theta \\
  • E_\theta/cr & -B_\varphi/r & 0 & B_r/r^2\sin\theta \\
  • E_\varphi/cr\sin\theta & B_\theta/r\sin\theta & -B_r/r^2\sin\theta & 0 \\

\end{bmatrix}

2. 3. 고전 장과의 관계

패러데이 미분 2-형식은 다음과 같이 표현된다.[1][2]

:

F = (E_x/c)\ dx \wedge dt + (E_y/c)\ dy \wedge dt + (E_z/c)\ dz \wedge dt + B_x\ dy \wedge dz + B_y\ dz \wedge dx + B_z\ dx \wedge dy,



여기서 dt 는 시간 요소에 광속 c 를 곱한 값이다.

이는 4-퍼텐셜 A 의 외미분 적분으로 얻을 수 있다.

: A = A_x\ dx + A_y\ dy + A_z\ dz - (\phi/c)\ dt

여기서,

  • \phi(\vec{x},t) -\vec{\nabla}\phi = \vec{E} 를 만족한다. ( \phi 는 비회전/보존적 벡터장 \vec{E} 의 스칼라 퍼텐셜이다.)
  • \vec{A}(\vec{x},t) \vec{\nabla} \times \vec{A} = \vec{B} 를 만족한다. ( \vec{A} 는 솔레노이드 벡터장 \vec{B} 벡터 퍼텐셜이다.)


맥스웰 방정식은 전자기장 텐서와 4-전류 밀도 J 를 사용하여 다음과 같은 미분 형식으로 표현할 수 있다.

: \begin{cases} dF = 0 \\ {\star}d{\star}F = J \end{cases}

여기서 d 는 외미분, {\star}는 호지 별, J = -J_x\ dx - J_y\ dy - J_z\ dz + \rho\ dt 이고, \vec{J} 전기 전류 밀도, \rho 전하 밀도이다.

전기장 (\vec{E}) 및 자기장 (\vec{B})은 전자기 텐서의 성분으로부터 얻을 수 있다. 데카르트 좌표에서 그 관계는 다음과 같다.

:E_i = c F_{0i},

:B_i = -1/2\epsilon_{ijk} F^{jk},

여기서 c는 광속이고, \epsilon_{ijk}는 레비-치비타 텐서이다. 이 식들은 특정 기준 틀 내의 장을 나타낸다. 기준 틀이 변경되면 전자기 텐서의 구성 요소가 공변적으로 변환되며 새 틀의 장은 새 구성 요소에 의해 결정된다.

3. 성질

전자기장 텐서는 반대칭성을 띄고 있어, F^{\mu\nu} = - F^{\nu\mu}의 관계를 가진다.[3] 전자기장 텐서는 6개의 독립적인 성분을 가지는데, 데카르트 좌표계에서 이는 전기장 (''Ex, Ey, Ez'') 및 자기장 (''Bx, By, Bz'')의 세 가지 공간 성분으로 나타낼 수 있다.[3]

전자기장 텐서 F_{\mu\nu}는 4차원 전자기 포텐셜 A_\mu와 4차원 미분 \partial_\mu를 이용하여 다음과 같이 정의된다.[4]

:F_{\mu\nu} = \partial_\mu A_\nu -\partial_\nu A_\mu

여기서 전자기 포텐셜과 미분은 각각 다음과 같다.[5]

:A^\mu = \left(

\frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right),~

A_\mu =\eta_{\mu\nu} A^\nu = \left(


  • \frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right)

:\partial_\mu =\frac{\partial}{\partial x^\mu} = \left(

\frac{1}{c}\frac{\partial}{\partial t}, \nabla \right)

3차원 공간에서 전자기 포텐셜은 전기장 \boldsymbol{E}와 자기 선속 밀도 \boldsymbol{B}를 통해 다음과 같이 표현할 수 있다.

:\boldsymbol{E} = -\nabla\phi -\frac{\partial\boldsymbol{A}}{\partial t}

:\boldsymbol{B} = \nabla\times\boldsymbol{A}

각 성분별로 표현하면 다음과 같으며[5], 구체적인 각 성분은 다음과 같다.

:E_j/c = \partial_j A_0 -\partial_0 A_j = -F_{0j}

:B_i \epsilon_{ijk} = \partial_j A_k -\partial_k A_j = F_{jk}

:(F_{01},F_{02},F_{03}) =(-E_x/c,-E_y/c,-E_z/c)

:(F_{23},F_{31},F_{12}) =(B_x,B_y,B_z)

위첨자 F^{\mu\nu} =\eta^{\mu\rho}\eta^{\nu\sigma}F_{\rho\sigma}는 다음과 같다.[5]

:(F^{01},F^{02},F^{03}) =(E_x/c,E_y/c,E_z/c)

:(F^{23},F^{31},F^{12}) =(B_x,B_y,B_z)

이를 행렬 형태로 나타내면 다음과 같다.

:(F_{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & -E_x/c & -E_y/c & -E_z/c \\

E_x/c & 0 & B_z & -B_y \\

E_y/c & -B_z & 0 & B_x \\

E_z/c & B_y & -B_x & 0 \\

\end{bmatrix},

:(F^{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & E_x/c & E_y/c & E_z/c \\

  • E_x/c & 0 & B_z & -B_y \\
  • E_y/c & -B_z & 0 & B_x \\
  • E_z/c & B_y & -B_x & 0 \\

\end{bmatrix}

완전 반대칭 텐서를 사용하면, 전자기장 강도 F에 쌍대 텐서

:\tilde{F}^{\mu\nu} =\frac{1}{2}

\epsilon^{\mu\nu\rho\sigma}F_{\rho\sigma}

를 정의할 수 있다.[6]

구체적으로 다음과 같다.

:(\tilde{F}^{01},\tilde{F}^{02},\tilde{F}^{03})

=(F_{23},F_{31},F_{12}) =(B_x,B_y,B_z)

:(\tilde{F}^{23},\tilde{F}^{31},\tilde{F}^{12})

=(F_{01},F_{02},F_{03}) =(-E_x/c,-E_y/c,-E_z/c)

행렬의 형태로 나타내면 다음과 같다.

:(\tilde{F}^{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & B_x & B_y & B_z \\

  • B_x & 0 & -E_z/c & E_y/c \\
  • B_y & E_z/c & 0 & -E_x/c \\
  • B_z & -E_y/c & E_x/c & 0 \\

\end{bmatrix}

3. 1. 불변량

전자기장 텐서의 내적을 형성하면 로런츠 불변량이 형성된다.[3] 그 값은 다음과 같다.

:F_{\mu\nu} F^{\mu\nu} = 2 \left( B^2-\frac{E^2}{c^2} \right)

이는 이 값이 다른 좌표계로 변환해도 변하지 않음을 의미한다.

텐서 F^{\mu\nu}호지 쌍대 G^{\mu\nu}의 곱은 로런츠 불변량을 제공한다.[3] 그 값은 다음과 같다.

:G_{\gamma\delta}F^{\gamma\delta} = \frac{1}{2}\epsilon_{\alpha\beta\gamma\delta}F^{\alpha\beta} F^{\gamma\delta} = -\frac{4}{c} \mathbf{B} \cdot \mathbf{E} \,.

여기서 \epsilon_{\alpha\beta\gamma\delta}는 4계 레비-치비타 기호이다. 위의 부호는 레비-치비타 기호에 사용된 규칙에 따라 달라지는데, 여기서 사용된 규칙은 \epsilon_{0123} = -1 이다.

전자기장 텐서의 행렬식 \det \left( F \right) = \frac{1}{c^2} \left( \mathbf{B} \cdot \mathbf{E} \right)^2는 위의 불변량의 제곱에 비례한다.[3]

전자기장 텐서의 대각합F=_{\mu }=0이다.[3]

4. 맥스웰 방정식

전자기장 텐서는 맥스웰 방정식을 두 개의 텐서 방정식으로 단순화한다.

이 텐서는 네 개의 벡터 미적분 방정식인 맥스웰 방정식을 두 개의 텐서 방정식으로 줄여준다. 비앙키 항등식은 다음과 같다.[8]

:\partial_\rho F_{\mu\nu} +\partial_\mu F_{\nu\rho} +\partial_\nu F_{\rho\mu} =0

쌍대 텐서를 사용하면 다음과 같이 나타낼 수도 있다.[8]

:\partial_\mu \tilde{F}^{\mu\nu} =\frac{1}{2} \epsilon^{\mu\nu\rho\sigma}\partial_\mu F_{\rho\sigma} =0

이 식은 첨자 \nu에 대한 4개의 방정식이며, 각각 자기에 대한 가우스 법칙과 맥스웰-패러데이 방정식에 대응한다.

:\nabla\cdot \boldsymbol{B} =0

:\nabla\times \boldsymbol{E}

+

4. 1. 자유 공간에서의 맥스웰 방정식

정전기학전자기학에서 가우스 법칙앙페르 회로 법칙은 각각 다음과 같이 표현된다.[8]

:\nabla \cdot \mathbf{E} = \frac{\rho}{\epsilon_0},\quad \nabla \times \mathbf{B} - \frac{1}{c^2} \frac{ \partial \mathbf{E}}{\partial t} = \mu_0 \mathbf{J}

이는 불균일 맥스웰 방정식으로 줄어들어 다음과 같이 표현된다.

:\partial_{\alpha} F^{\beta\alpha} = - \mu_0 J^{\beta}

여기서 J^{\alpha} = ( c\rho, \mathbf{J} ) 는 4-전류이다.

정자장학 및 자기 역학에서 자기에 대한 가우스 법칙과 맥스웰-패러데이 방정식은 각각 다음과 같이 표현된다.

:\nabla \cdot \mathbf{B} = 0,\quad \frac{ \partial \mathbf{B}}{ \partial t } + \nabla \times \mathbf{E} = \mathbf{0}

이는 비앙키 항등식으로 줄어들어 다음과 같이 표현된다.

: \partial_\gamma F_{ \alpha \beta } + \partial_\alpha F_{ \beta \gamma } + \partial_\beta F_{ \gamma \alpha } = 0

또는 텐서의 반대칭 부분을 위한 대괄호와 함께 지수 표기법을 사용하여 다음과 같이 나타낼 수 있다.

: \partial_{ [ \alpha } F_{ \beta \gamma ] } = 0

자유 공간에서의 전자기장의 운동 방정식은 다음과 같이 표현된다.

:\partial_\mu F^{\mu\nu} =-\mu_0 j^\nu

여기서 j^\nu는 4원 전류 밀도이다. 이 식은 첨자 \nu에 대한 4개의 방정식이며, 각각

:\nabla\cdot \boldsymbol{E} =\frac{\rho}{\epsilon_0}

:\nabla\times \boldsymbol{B}

  • \frac{1}{c^2} \frac{\partial\boldsymbol{E}}{\partial t}

=\mu_0 \boldsymbol{j}

에 대응한다.

4. 2. 매질 내에서의 맥스웰 방정식

매질 내에서의 전자기장은 전속 밀도와 자기장 세기를 사용하여 상대론적으로 기술할 수 있다.[7] 이들은 2계 텐서 Gμν로 표현되며, 각 성분은 다음과 같다.

(G^{01},G^{02},G^{03})=(D_x,D_y,D_z)
(G^{23},G^{31},G^{12})=(H_x/c,H_y/c,H_z/c)



이 텐서 Gμν는 서브 전자기 텐서라고도 불린다. 서브 전자기 텐서는 전자기장의 세기 Fμν와 다음과 같은 관계를 갖는다.

:G^{\mu\nu} = \frac{1}{Z_0} F^{\mu\nu} +P^{\mu\nu} = \frac{1}{c\mu_0} F^{\mu\nu} +P^{\mu\nu}

여기서 Pμν는 분극 텐서이며, 그 성분은 유전 분극 P와 자화 M이다. 구체적으로 다음과 같다.

(P^{01},P^{02},P^{03}) =(P_x,P_y,P_z)
(P^{23},P^{31},P^{12}) =(-M_x/c,-M_y/c,-M_z/c)



서브 전자기 텐서 Gμν와 분극 텐서 Pμν를 행렬 형태로 나타내면 다음과 같다.

Gμν(G^{\mu\nu}) =
Pμν(P^{\mu\nu}) =



매질 중의 운동 방정식은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

:\partial_\mu G^{\mu\nu} =-\frac{1}{c}\, j^\nu

이는 성분별로 다음과 같다.

:\nabla\cdot \boldsymbol{D} =\rho

:\nabla\times \boldsymbol{H}


  • \frac{\partial\boldsymbol{D}}{\partial t}

=\boldsymbol{j}

5. 로런츠 힘

로런츠 힘을 상대론적으로 기술할 때 전자기장 텐서가 사용된다.

상대론적 입자의 위치를 X|엑스영어 = (ct|시티영어, '''r'''|아르영어)로 나타낼 때, 전하 q|큐영어를 띤 하전 입자에 작용하는 로런츠 힘은 다음과 같다.[4]

: \dot{p}_\mu =-q\dot{X}^\nu F_{\nu\mu}(X)

여기서 p|피영어는 입자의 4차원 운동량이다. 점은 운동의 매개변수에 대한 미분이다.

6. 상대성 이론

전자기장 텐서는 전자기장이 텐서 변환 법칙을 따른다는 사실에서 그 이름이 유래되었으며, 이러한 물리 법칙의 일반적인 속성은 특수 상대성 이론이 등장한 후에 인식되었다.

6. 1. 특수 상대성 이론

특수 상대성 이론은 모든 물리 법칙이 모든 좌표계에서 동일한 형태를 가져야 한다고 규정했으며, 이는 텐서의 도입으로 이어졌다. 텐서 형식주의는 또한 물리 법칙을 수학적으로 더 간단하게 표현할 수 있게 한다.

불균질한 맥스웰 방정식연속 방정식으로 이어진다.

:\partial_\alpha J^\alpha = J^\alpha{}_{,\alpha} = 0

이는 전하 보존을 의미한다.

6. 2. 일반 상대성 이론

전자기장 텐서는 전자기장이 텐서 변환 법칙을 따른다는 사실에서 그 이름을 따왔으며, 이러한 물리 법칙의 일반적인 속성은 특수 상대성 이론이 등장한 후에 인식되었다. 이 이론은 모든 물리 법칙이 모든 좌표계에서 동일한 형태를 가져야 한다고 규정했으며, 이는 텐서의 도입으로 이어졌다. 텐서 형식주의는 또한 물리 법칙을 수학적으로 더 간단하게 표현할 수 있게 한다.

불균질한 맥스웰 방정식은 연속 방정식으로 이어진다.

:\partial_\alpha J^\alpha = J^\alpha{}_{,\alpha} = 0

이는 전하 보존을 의미한다.

위의 맥스웰 법칙은 편미분을 공변 미분으로 단순히 대체하여 굽은 시공간으로 일반화할 수 있다.[9]

:F_{[\alpha\beta;\gamma]} = 0F^{\alpha\beta}{}_{;\alpha} = \mu_0 J^{\beta}

여기서 세미콜론 표기법은 편미분과 반대로 공변 미분을 나타낸다. 이러한 방정식은 때때로 굽은 공간 맥스웰 방정식이라고 불린다. 마찬가지로, 두 번째 방정식은 (굽은 시공간에서) 전하 보존을 의미한다.[9]

:J^\alpha{}_{;\alpha} \, = 0

시공간의 곡률, 즉 중력장이 있는 경우, 편미분은 텐서가 되지 않으며, 레비-치비타 접속을 도입하여 공변 미분으로의 대체가 필요하게 된다. 그러나 전자기장 강도는 편미분에 의한 정의를 변경하지 않고 텐서이다. 반대칭성에 의해 공변 미분의 접속이 상쇄되므로

:F_{\mu\nu} =\mathcal{D}_\mu A_\nu -\mathcal{D}_\nu A_\mu =\partial_\mu A_\nu -\partial_\nu A_\mu

이 된다. 비앙키 항등식은 정의로부터 성립하므로 변경을 필요로 하지 않지만, 운동 방정식은

:\mathcal{D}_\mu F^{\mu\nu} =-\frac{Z_0}{c}\, j^\nu

이며, 공변 미분으로의 대체가 필요하게 된다.

7. 라그랑주 형식

고전 전자기학맥스웰 방정식은 다음 작용으로부터 유도될 수 있다.

:\mathcal{S} = \int \left( - \frac{1}{4 \mu_0} F_{\mu\nu} F^{\mu\nu} - J^\mu A_\mu \right) \mathrm{d}^4 x \,

여기서 \mathrm{d}^4 x는 공간과 시간에 대한 적분이다. 이는 라그랑지안 밀도가 다음과 같음을 의미한다.

:\begin{align}

\mathcal{L} &= -\frac{1}{4\mu_0} F_{\mu\nu} F^{\mu\nu} - J^\mu A_\mu \\

&= -\frac{1}{4\mu_0} \left( \partial_\mu A_\nu - \partial_\nu A_\mu \right) \left( \partial^\mu A^\nu - \partial^\nu A^\mu \right) - J^\mu A_\mu \\

&= -\frac{1}{4\mu_0} \left( \partial_\mu A_\nu \partial^\mu A^\nu - \partial_\nu A_\mu \partial^\mu A^\nu - \partial_\mu A_\nu \partial^\nu A^\mu + \partial_\nu A_\mu \partial^\nu A^\mu \right) - J^\mu A_\mu \\

\end{align}

괄호 안의 두 중간 항은 같고, 두 외부 항도 같으므로 라그랑지안 밀도는 다음과 같다.

:\mathcal{L} = - \frac{1}{2\mu_0} \left( \partial_\mu A_\nu \partial^\mu A^\nu - \partial_\nu A_\mu \partial^\mu A^\nu \right) - J^\mu A_\mu.

이것을 장에 대한 오일러-라그랑주 방정식에 대입하면 다음과 같다.

: \partial_\mu \left( \frac{\partial \mathcal{L}}{\partial ( \partial_\mu A_\nu )} \right) - \frac{\partial \mathcal{L}}{\partial A_\nu} = 0

따라서 오일러-라그랑주 방정식은 다음과 같다.

: - \partial_\mu \frac{1}{\mu_0} \left( \partial^\mu A^\nu - \partial^\nu A^\mu \right) + J^\nu = 0. \,

위 괄호 안의 양은 장 텐서이므로, 최종적으로 다음과 같이 단순화된다.

: \partial_\mu F^{\mu \nu} = \mu_0 J^\nu

이 방정식은 두 개의 비제차 맥스웰 방정식 (즉, 가우스 법칙앙페르 회로 법칙)을 다음과 같이 치환하여 나타낸 것이다.

:\begin{align}

\frac{1}{c}E^i &= -F^{0 i} \\

\epsilon^{ijk} B_k &= -F^{ij}

\end{align}

여기서 ''i, j, k''는 1, 2, 3의 값을 갖는다.

8. 해밀턴 형식

해밀턴 밀도는 다음과 같은 일반적인 관계를 사용하여 얻을 수 있다.

:\mathcal{H}(\phi^i,\pi_i) = \pi_i \dot{\phi}^i(\phi^i,\pi_i) - \mathcal{L}.

9. 양자 전기 역학 및 장론

라그랑지안은 상대성이론에서 확립된 고전적 라그랑지안을 넘어 광자(및 전자)의 생성과 소멸을 통합하도록 확장된다.

:\mathcal{L} = \bar\psi \left(i\hbar c \, \gamma^\alpha D_\alpha - mc^2\right) \psi - \frac{1}{4\mu_0} F_{\alpha\beta} F^{\alpha\beta},

여기서 오른편의 첫 번째 부분은 디랙 스피너 \psi를 포함하며, 디랙 장을 나타낸다. 양자장론에서 게이지 장 세기 텐서의 템플릿으로 사용된다. 국소 상호작용 라그랑지안과 함께 사용됨으로써 QED에서의 일반적인 역할을 다시 수행한다.

10. 좌표계 표현

전자기장 세기(field strength영어) F_{\mu\nu}는 2계 텐서로, 다음과 같이 정의된다.[4]

:F_{\mu\nu} = \partial_\mu A_\nu -\partial_\nu A_\mu

여기서 A_\mu는 상대론적인 4원 벡터의 전자기 포텐셜이다.

:A^\mu = \left(

\frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right),~

A_\mu =\eta_{\mu\nu} A^\nu = \left(


  • \frac{\phi}{c}, \boldsymbol{A} \right)[5]


\partial_\mu는 상대론적인 4원 벡터이다.

:\partial_\mu =\frac{\partial}{\partial x^\mu} = \left(

\frac{1}{c}\frac{\partial}{\partial t}, \nabla \right)

전자기장 텐서는 반대칭 텐서이며, 6개의 독립 성분을 가진다. 이는 3차원 공간의 벡터장인 전기장의 세기 \boldsymbol{E}와 자기 선속 밀도 \boldsymbol{B}의 각 성분에 해당한다. 전기장과 자기 선속 밀도는 3차원 공간의 전자기 포텐셜에 의해 다음과 같이 표현된다.

:\boldsymbol{E} = -\nabla\phi -\frac{\partial\boldsymbol{A}}{\partial t}

:\boldsymbol{B} = \nabla\times\boldsymbol{A}

각 성분별로는 다음과 같이 쓸 수 있다.[5]

:E_j/c = \partial_j A_0 -\partial_0 A_j = -F_{0j}

:B_i \epsilon_{ijk} = \partial_j A_k -\partial_k A_j = F_{jk}

구체적으로,

:(F_{01},F_{02},F_{03}) =(-E_x/c,-E_y/c,-E_z/c)

:(F_{23},F_{31},F_{12}) =(B_x,B_y,B_z)

이다.[5]

위첨자 표현 F^{\mu\nu} =\eta^{\mu\rho}\eta^{\nu\sigma}F_{\rho\sigma}는 다음과 같다.

:(F^{01},F^{02},F^{03}) =(E_x/c,E_y/c,E_z/c)

:(F^{23},F^{31},F^{12}) =(B_x,B_y,B_z)[5]

10. 1. 직교 좌표계

전자기장 텐서 F_{\mu\nu}의 성분은 전기장 '''E'''와 자기장 '''B'''로 표현된다. 직교 좌표계에서 이 관계는 다음과 같다.[4][5]

:E_i = c F_{0i},

여기서 ''c''는 빛의 속도이고,

:B_i = -1/2\epsilon_{ijk} F^{jk},

여기서 \epsilon_{ijk}는 레비-치비타 텐서이다.

계량 텐서 부호수 (+,-,-,-)를 사용하면, 전자기장 텐서는 다음과 같은 공변적 행렬 형식으로 표현된다.

:

F^{\mu\nu} = \begin{bmatrix}

0 & -E_x/c & -E_y/c & -E_z/c \\

E_x/c & 0 & -B_z & B_y \\

E_y/c & B_z & 0 & -B_x \\

E_z/c & -B_y & B_x & 0

\end{bmatrix}.



반변 형식은 지수 내리기에 의해 다음과 같이 주어진다.

:

F_{\mu\nu} = \begin{bmatrix}

0 & E_x/c & E_y/c & E_z/c \\

  • E_x/c & 0 & -B_z & B_y \\
  • E_y/c & B_z & 0 & -B_x \\
  • E_z/c & -B_y & B_x & 0

\end{bmatrix}.



이러한 표현들은 특정 기준 틀 내에서의 장을 나타낸다. 기준 틀이 변경되면 전자기 텐서의 구성 요소는 공변적으로 변환되며, 새 틀에서의 장은 새 구성 요소에 의해 결정된다.

10. 2. 구면 좌표계

구면 좌표계(spherical coordinate system)에서 4원 포텐셜의 성분 표시는 다음과 같다.[4]

:

이를 통해 전자기장 텐서 F를 다음과 같이 얻을 수 있다.[4]

:{{lang|en|(F_{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & -E_r/c & -rE_\theta/c & -rE_\varphi\sin\theta/c \\

E_r/c & 0 & rB_\varphi & -rB_\theta\sin\theta \\

rE_\theta/c & -rB_\varphi & 0 & r^2B_r\sin\theta \\

rE_\varphi\sin\theta/c & rB_\theta\sin\theta & -r^2B_r\sin\theta & 0 \\

\end{bmatrix}}}

평탄한 시공간의 민코프스키 계량과 그 역행렬은 구면 좌표계에서 다음과 같다.

:

:

이를 이용하여 전자기장 텐서의 첨자를 올리면 다음과 같다.

:{{lang|en|(F^{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & E_r/c & E_\theta/cr & E_\varphi/cr\sin\theta \\

  • E_r/c & 0 & B_\varphi/r & -B_\theta/r\sin\theta \\
  • E_\theta/cr & -B_\varphi/r & 0 & B_r/r^2\sin\theta \\
  • E_\varphi/cr\sin\theta & B_\theta/r\sin\theta & -B_r/r^2\sin\theta & 0 \\

\end{bmatrix}}}

예를 들어, 원점에 점전하 q가 존재할 때의 전자기장 텐서는 다음과 같이 간단하게 표현된다.

:{{lang|en|(F^{\mu\nu}) =

\begin{bmatrix}

0 & \frac{1}{4\pi\epsilon_0c}\frac{q}{r^2} & 0 & 0 \\

  • \frac{1}{4\pi\epsilon_0c} \frac{q}{r^2} & 0 & 0 & 0 \\

0 & 0 & 0 & 0 \\

0 & 0 & 0 & 0 \\

\end{bmatrix}}}

참조

[1] 서적 Gravitation W.H. Freeman & Co
[2] 서적 Introduction to Electrodynamics Pearson Education, Dorling Kindersley
[3] 서적 Gravitation W.H. Freeman & Co
[4] 문서 ランダウ, リフシッツ pp.67-69, §23.電磁場テンソル
[5] 문서 ここではミンコフスキー計量の符号を η=diag(-1,+1,+1,+1) に選んでいる。
[6] 문서 ジャクソン 819頁
[7] 문서 ジャクソン 820頁
[8] 문서 ランダウ, リフシッツ pp.74-75, §26.マクスウェル方程式の第1の組
[9] 문서 ランダウ, リフシッツ pp.285-287, §90.



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